三星电子：计划在 HBM4 世代为客户研发多样化定制 HBM 内存

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7 月 10 日信息，综合韩媒 The Elec 和 ZDNET Korea 报告，三星电子在昨日举行的三星晶圆代工论坛 & SAFE 论坛 2024 韩国首尔场上暗示，定制 HBM 预计在 HBM4 世代作为现实。

▲会议现场。图源三星电子资讯稿

三星电子存储分部新事业企划组组长 Choi Jang-seok 叫作：“咱们看到 HBM 架构正在出现巨大变化。咱们的许多客户正在从传统的通用 HBM 转向定制制品。”

他弥补道：“定制 HBM 将在 PPA（注：性能 Performance、功耗 Power 和面积 Area）方面供给与标准制品区别的选取，带来明显价值”。

Choi Jang-seok 详细介绍了两种可能的定制 HBM 形式：

不运用现有 2.5D 封装方法中必需的中间商层 (Interposer) 和基本裸晶 (ba se Die)，直接将 HBM 芯片 3D 集成在计算 SoC 上，可简化从计算芯片到 HBM 的数据路径，降低芯片功耗和占地面积，这类似于之前展示过的 SAINT-D；

▲ 现有 HBM 内存封装集成形式，数据流需经过中间商层

将内存的 I/O 接口和掌控器转移到 HBM 内存的 ba se Die 上，为计算芯片留出更加多用于规律电路的空间。

Choi Jang-seok 还说到三星电子正在研发单堆栈达 48GB 的大容量 HBM4 内存，预计明年投产。

源自：https://www.top168.com/news/202407/8527.html返回外链论坛：www.fok120.com，查看更加多

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