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嵌入式PCB封装介绍
嵌入式 PCB 封装包含将器件整合到 PCB 的多层结构中。更小的外形尺寸、准许堆叠无源和有源元件的 3D 封装、更少的寄生效应和更好的热管理等优良推动了这一发展。将元件嵌入基板组件中的基本概念并不鲜嫩。
它在低功耗或规律器件封装中的应用已然达到了很高的成熟度。MicroSIP™ 封装（来自德州仪器和 AT&S）和英飞凌的 BLADE™ 封装是利用嵌入式 PCB 技术的大批量制品的例子。
图 1 表示了运用 IGBT 的 10kW 逆变器的简化横截面图。在本科研1中，100 微米铜 (Cu) 箔形成可连接散热器的底板。
层压电绝缘但导热性 (4.8 W/mK) 的预浸料层填充了 400 微米铜周边的垂直和水平间隙，铜充当引线框架，可在其上烧结连接芯片。芯片顶部有一层厚 (10-12 µm) 的铜层。
这是在传统铝 (Al) 顶部金属上所需的额外工艺过程。用铜电镀填充激光钻孔。顶部的铜轨用于创建顶部布线和触点，并且能够安置其他组件（例如电容器或掌控器），就像在常规 PCB 上一样。
如图 1 所示，能够运用厚铜轨和薄铜轨的组合以及可变的通孔尺寸来优化模块性能。
图 1：10 kW 嵌入式 PCB 逆变器横截面（源自：1）
PCB 嵌入式 WBG 器件
电力电子设备（尤其是WBG设备）的PCB嵌入带来了有些独特的挑战： 更高的功率密度需要有效的散热和传输。嵌入式办法的一个限制是用于 PCB 的传统 FR4 材料的低热导率（~ 0.3 W/mK）。精心设计的通孔部署能够弥补这一点。铜层压板和层的厚度起着关键功效。较厚的层能够承载更高的电流并更有效地散热，但横向热扩散较高，可能会影响相邻的嵌入式芯片。区别的热膨胀系数 (CTE) 会产生应力并引起故障。嵌入 AlN 等陶瓷基板（周边有 Cu 层）能够供给与SiC更好的 CTE 匹配，同期还能实现所需的隔离。运用对叫作的层压结构（从上到下）亦能够改善应力，同期供给双面冷却的办法。因为 WBG 可实现高开关频率和转换速率，因此呢应优化布局以降低寄生电感。电源环路电感 L PL（包含共源电感）是开关损耗、电压过冲和传导电磁干扰 (EMI) 的重点原因。屏蔽外边 DC Cu 层之间的开关节点能够减少辐射 EMI。
带有 WBG 的嵌入式 PCB 示例
GaN Systems 与 AT&S 一起研发的GaNpx® 封装是一个低电感、小尺寸、低热阻 (R THjc ) 封装的示例，该封装运用 100V 和 650V 节点的 GaN 芯片，并可选取顶部或底部冷却。
三菱电机2的一个科研小组展示了一种基于 SiC 的开关单元的 3-D 集成组装。在这项工作中，作者将两个图腾柱 SiC MOSFET 以对叫作摆列的方式纳入 PCB 中。一个新颖的特点是集成为了平面输出电感器，运用低温环氧树脂封装在 PCB 绕组周边。
栅极驱动器亦嵌入在开关周边。总共有四层厚 (400 µm) 和四层薄 (35 µm) Cu 层，分别用于驱动器的高电流/热量和细间距布线。与独立的 TO247 封装相比，嵌入式器件在全部温度范围内的导通电阻 (R DSON ) 方面表现出优异的性能，显示电气和热接触得到改善。在 600V 和 30A 下的开关测试表示在高达 58 kV/ns 的 dV/dt 速率下过冲非常小，证实了 3D 集成的低寄生电感优良。
集成栅极驱动 1200 V SiC MOSFET 嵌入式 PCB 电源转换器3由美国弗吉尼亚理工学院电力电子系统中心 (CPES) 和奥地利 AT&S 州立大学的合作团队研发。AT &S 基于嵌入式组件封装 (ECP ® )的 PCB 技术用于智能手机和医疗设备等各样制品。
CPES 运用 AT&S 的嵌入式 PCB 封装（四层铜层对叫作摆列）基于半桥配置创建了降压、升压和 AC-DC 转换器。热阻测绘表示漏极侧冷却 R THjc为 0.17 K/W，性能优异。模拟预测功率环路电感仅为 2.3 nH。如图 2 所示，准方波 (QSW) 降压 800V 至 400V、25A 转换器在 250 kHz 开关时，V DS过冲比 TO-247 封装的低 5.6 倍。
图 2：降压转换器开关波形比较（a）嵌入式 PCB 办法与（b）运用分立 TO-247 封装的 1200 V SiC MOSFET，Vin = 800V、Vout = 400V 和 25A 峰值电感电流（源自：3）
英飞凌和 Schweizer Electronic AG 在 PCIM, 2023 会议上展示了 1200 V CoolSiC™ 嵌入式 PCB 技术。这是基于 Schweizer 创新的p2PACK ®嵌入办法。
SiC MOSFET 在易于嵌入的标准单元 (S-cell) 中经过全面测试，该单元包含顶部 Cu 金属化。该办法已在 48V MOSFET 技术的批量生产中得到成功验证，性能加强了 35%。
如图 3 所示，在嵌入过程中，S-cell 被安置在 PCB 层压板内的切口中。顶部和底部 Cu 通孔连接和 Cu 框架供给低 L PL和低热阻抗。低热阻抗针对防止过流事件等故障时期显现大的温度过冲非常有帮忙。
图 3：展示嵌入 Schweizer 嵌入式 PCB 封装的英飞凌 CoolSiC™ S 电池（源自：英飞凌科技）
1200 V、11 mΩ CoolSiC™ Gen2p S 电池的工程样品现已上市，同期还供给半桥配置的嵌入式评定套件，用于 V IN高达 900V 和 50 kW 容量，无需并联设备。低 L PL ≈ 2nH 可实现干净、快速的切换。
图 4 表示了运用 1200V、14 mΩ 嵌入式 CoolSiC™ S 电池的评定板的初步切换结果。开启时期的二极管过冲指的是关断状态 MOSFET 的体二极管。dV/dt >90 V/ns 的结果表示过冲 <65 V。
图 4：采用英飞凌 1200 V CoolSiC™ S-cell 封装的芯片嵌入式评定板上的初步开关结果（VDS = 800V 和 ID ≈ 100A）（源自：英飞凌科技）
低电感封装的一个关键问题是短路事件时期可能显现很强的电流过冲。如图 5 所示，英飞凌已验证了在 800V 下少于 1µs 的快速短路检测，并运用各样 DESAT 电容器实现了良好的掌控。
图 5：表示嵌入 Schweizer 嵌入式 PCB 封装的英飞凌 1200 V CoolSiC™ S 电池在 VDS = 800V 和各样 DESAT 电容器时的短路性能（源自：英飞凌科技）
电动汽车牵引逆变器等汽车应用可受益于这种办法带来的效率提高，由于这种办法能够改善开关和散热。其他潜在优良包含降低系统成本、容易进行板级设计更改的灵活性、在空间受限的电动汽车中实现更小的外形尺寸以及经过可扩展的 PCB 嵌入办法更容易地实现设备并联。
参考
1 T. Löher、S. Karaszkiewicz、L. Böttcher、A. Ostmann，“经过 PCB 嵌入技术实现的紧凑型电力电子模块”，2016 IEEE CPMT 研讨会。2
R. Mrad、J. Morand、R. Perrin、S. Mollov，“用于高功率密度转换器的 PCB 封装和 3D 组装”，2109 IEEE 国际集成功率封装研讨会 (IWIPP)。3 J. Knoll、G. Son、C. DiMarino、Q. Li、H. Stahr 和 M. Morianz，“用于 22 kW AC-DC 转换器的 PCB 嵌入 1.2 kV SiC MOSFET 半桥封装”，IEEE 电力电子学报，2022 年。
源自： 碳化硅芯观察
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发表于 2024-10-10 05:26:35